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    化学气相沉积法

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    化学气相沉积法

    发布日期:2018-03-09 作者: 点击:

    加热各种碳源气体(如甲烷、乙烯等)、液体(苯等)甚至固体(高分子等)材料至一定温度后,碳原子会在一些金属(如单晶Ru、多晶Ni等)表面上生成石墨烯。该方法和外延法制备石墨烯的机理有相似之处,在高温阶段碳原子融入金属体相中,冷却后再以石墨烯的形式析出。故此法和碳在金属中的溶解度有极大的关系。  当今用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)生长石墨烯,最常用的是铜,研究发现,在铜薄膜上可以相对容易地制备出单层石墨烯,因为碳在铜箔上沉积出一层石墨烯后会自动停止生长第二层,而且铜箔对碳源、温度、压力等要求很低。虽然目前对石墨烯在铜膜上的生长机理仍有争论(外延生长还是催化生长),但是目前对于CVD制备石墨烯这种方法,铜仍然是最好的选择。该法对石墨烯在微电子方面的应用意义巨大,是现今公认的最有前景的石墨烯制备方法。

    本文网址:http://www.nacarbon.cn/news/375.html

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